Третье измерение для закона Гордона-Мура

Разные новые информационные технологии
Аватара пользователя
info@webstarstudio.com
Site Admin
Сообщения: 1566
Зарегистрирован: Пн янв 10, 2005 8:42 am
Контактная информация:

Третье измерение для закона Гордона-Мура

Сообщение info@webstarstudio.com »

Корпорация IBM анонсировала передовую полупроводниковую технологию, использующую метод "chip-stacking" (монтаж в одном корпусе нескольких чипов друг над другом), которая открывает путь к широкому распространению производственного процесса трехмерной упаковки микросхем. Новая технология, получившая название "through-silicon vias" («внутрикремниевые межсоединения»), позволяет выполнять сверхплотную упаковку компонентов микросхемы, что будет способствовать «продлению жизни» и расширению сферы действия известного закона Мура, согласно которому число транзисторов в кристалле удваивается каждые 12-18 месяцев.

Исследования в области трехмерной топологии чипов IBM ведет уже около 10 лет. Формирование компактной многослойной структуры полупроводниковых элементов позволяет значительно уменьшить размеры корпуса микросхемы и повысить пропускную способность межсоединений функциональных компонентов чипа. "Теперь, -- отмечает Лиза Су, вице-президент научно-исследовательского центра IBM по полупроводниковым технологиям, -- у нас появилась возможность перевести технологию создания 3D-чипов из разряда перспективной лабораторной методики в категорию серийного производственного процесса изготовления широкого спектра электронных продуктов".

Новая технологическая методика IBM устраняет необходимость в относительно длинных металлических проводниках, которые сегодня соединяют между собой 2D-чипы и их составные элементы, заменяя эти проводники внутрикремниевыми соединениями. Они представляют собой вертикальные каналы, протравленные в кремниевой пластине и заполненные металлом. Новое измерение в топологии микросхем позволяет сократить расстояние, которое необходимо преодолевать потокам данных, почти в 1000 раз. Кроме того, можно создать в 100 раз больше каналов связи для обмена данными по сравнению с 2D-чипами.

Опытные образцы чипов c использованием методики внутрикремниевых межсоединений появятся во второй половине 2007 года, а массовое производство таких чипов будет освоено в 2008 году. Как ожидается, свое первое широкое применение они найдут в микросхемах усилителей мощности базовых станций беспроводных сетей и сотовой телефонии. 3D-чипы планируется также использоваться в наборах микросхем высокопроизводительных серверов и суперкомпьютеров IBM, предназначенных для решения ресурсоемких вычислительных задач в области научных исследований и бизнеса. Чипы, изготовленные по новой технологии внутрикремниевых межсоединений, уже появились в электронных компонентах беспроводного коммуникационного оборудования, процессорах серии Power, чипах суперкомпьютера Blue Gene и модулях памяти с высокой пропускной способностью.

Работы над «трехмерными» микросхемами поддерживаются Управлением перспективного планирования оборонных научно-исследовательских работ США (DARPA).

Вернуться в «Информационные технологии»